22 November 2022

GaN HEMT 

牛津仪器公司和ITRI开发新型GaN结构器件

牛津仪器公司（Oxford Instruments）与其研究伙伴工业技术研究所（ITRI）共同开发了一种新的GaNHEMT器件架构，由嵌入AlGaN层的凹形绝缘栅结定义。这种新器件被称为GaN MISHEMT。

技术的发展使得关键晶体管组件可以在更高的电压下工作，以提高性能和可靠性，同时与现有器件相比，还可以实现更安全和更节能的工作（通常关闭“E模式”）。

2021年，Oxford Instruments Plasma Technology和ITRI开始了下一代化合物半导体的合作研究计划。这一最新突破来自于这一合作伙伴关系。与此同时，牛津仪器公司公布了与Laytec的独家供应协议，Layttec的端点技术用于控制GaN MISHEMT凹栅深度。凹栅深度精度和重复性对于调整器件性能特性至关重要。

牛津仪器公司的战略业务发展总监Klaas Wisniewski评论道：“我们有优秀的战略合作伙伴和客户，如Enkris、ITRI、LayTec和Rohm，我们的氮化镓解决方案定位于强大的服务、增长和从巨大的机会市场中获益。我们领先的原子层蚀刻（ALE）和原子层沉积（ALD）技术正在提高材料工程性能，以达到表面质量和缺陷减少的新水平，以满足对更高性能器件日益增长的需求。”Klaas还补充道：“凭借我们的技术合作伙伴ITRI、大量GaN制造客户以及我们对高价值和专有工艺解决方案的专注投资，我们预计GaN器件市场将成为我们业务和技术路线图的关键驱动力。”

“ITRI在提供GaN HEMT制造解决方案方面拥有成熟的专业知识和历史，该解决方案可实现GaN电力电子和RF应用的全球供应链。然而，为了解决与下一代器件制造相关的技术挑战，我们需要更精确和可控的技术解决方案，例如用于GaN HEPT大批量制造的ALE。通过我们与牛津仪器公司的长期合作关系，使我们成功地将其用于凹栅MISHEMT的ALE解决方案鉴定并集成到我们的GaN HEMT试验生产线中，”ITRI EOSL副总经理Robert Lo评论道。

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Issued for and on behalf of Oxford Instruments Plasma Technology