25 Jan
原子力显微镜案例分享 | 用AFM观察多铁薄膜中的磁畴翻转
日本的研究组制备了BFCO钴铁酸铋薄膜（部分铁原子被钴原子置换的铁酸铋），能够在室温中自发形成面外的磁畴结构。通过纳米尺度的磁学表征和机电耦合表征，研究者证实了材料的磁畴能够被电场翻转。
基于磁阻效应的随机存取存储器（MRAM）以及其它一些新型的磁学器件，有望成为快速、高密度、长寿命的数据存储解决方案。如果可以通过电场而不是电流来控制磁场，那么此类器件的功耗将能够被进一步降低。然而，实现电场调控是非常有挑战的工作。
东京工业大学和名古屋工业大学的学者通过具有铁磁性和铁电性的BFCO薄膜，在这一领域取得了进展。薄膜在钪酸钆基底上生长，以减小晶格失配导致的应力。由此制备的单一晶相的薄膜在室温下具有自发形成的面外磁畴。
使用设备
Cypher S原子力显微镜，以及配备了PolyHeater加热台的MFP-3D Origin+原子力显微镜。
Citation: K. Shimizu, R. Kawabe, H. Hojo et al., Direct observation of magnetization reversal by electric field at room temperature in Co-substituted bismuth ferrite thin film. Nano Lett. 19, 1767 (2019). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b04765
Note: The data shown here are reused under fair use from the original article, which can be accessed through the article link above.
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