SiC 晶圆经过 CMP 抛光后易产生表面划痕、残余应力等缺陷，直接影响后续外延质量及器件良率，经过等离子抛光后的晶圆缺陷情况得到改善，但没有手段实现质量监控。本报告将通过拉曼、原子力和 EBSD 互补表征，展示多技术联用在抛光后 SiC 晶圆多维度质量监控中的应用价值。
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