第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料，其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更强的抗辐射能力、更快的电子饱和漂移速率等特性。但是第三代半导体的发展仍有很多技术问题亟待解决。一方面，第三代半导体技术扩展了器件参数分布的区间，覆盖了以往没有出现过的高压高速区域，因此对器件的测试工具提出非常严苛的挑战；另一方面，在其材料外延等方面，如何降低衬底缺陷，提高良率，做大尺寸、降低成本等问题也需亟待解决。

基于此，仪器信息网将于2021年12月28日举办“第三代半导体材料、器件及检测技术发展和应用”主题网络研讨会。牛津仪器很荣幸受邀参加会议，并在10:00-10:30为大家带来牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用，欢迎感兴趣的老师及同学们报名参加，并与我们的应用科学家在线交流和讨论！

会议日程

日程安排：

12月28日 第三代半导体材料器件及检测技术发展和应用 上

报告简介

标题：牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用

摘要：

种类丰富的材料及其形成的微纳结构赋予不同半导体器件以独特的功能和特性，这些微观结构从根本上决定了器件的性能表现。特征尺寸的不断减小促使科研和工业界持续探索先进显微表征技术的开发、应用及拓展。本次报告内容涵盖牛津仪器最新开发的原位TKD技术、无损纳米镀层测厚解决方案和晶体学缺陷分析工具。

报告人简介

王汉霄 应用科学家

牛津仪器

2021年获英国曼彻斯特大学博士学位，随后加入牛津仪器纳米分析部，负责EDS、EBSD和OmniProbe技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。