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InP Laser Diode Manufacturing
有关: 半导体、微电子与数据存储
高性能电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,在这些领域高效动力转换必不可少。SiC 和 GaN 材料的使用降低了能耗。我们通过原子层沉积(ALD)技术、等离子体辅助蚀刻和沉积技术优化了工艺,提高了器件的能效。ALD 工艺通过出色的钝化减少了 GaN/AlGaN 器件中的阈值电压漂移。
通过牛津仪器 GaN 和 SiC 蚀刻工艺完成的侧壁质量优良、损伤很小、性能优秀。