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EBSD位错分析：从位错密度到单根位错
位错，是晶态材料中典型的线状缺陷，与材料的变形、成型及性能密切相关。但单根位错引起的取向偏转非常微小，一般情况下，EBSD的角度精度难以直接测量。那么，EBSD能否进一步突破这一限制，甚至在GaN样品中直接观察单根位错？
本期直播，牛津仪器 高级应用科学家杨小鹏博士将结合加权柏氏矢量（Weighted Burgers Vector）方法，带您从位错密度分析走向单根位错表征。
从位错密度到单根位错，如何做到？
加权柏氏矢量利用环路积分，将单根位错周围微小的取向差叠加，从而提高对微小角度变化的探测精度。
更直观的变化，可以从下面两张图开始看：高精度数据采集 → MapSweeper 进一步提升角度精度
看到位错之后，我们还能知道什么？
加权柏氏矢量计算的是柏氏矢量本身，无需预先指定可能的位错类型和滑移系统。除了分析位错密度，还可以进一步分析柏氏矢量方向，辅助判断位错类型及分析变形过程中的滑移系统。
从“位错有多少”，到“位错在哪里、柏氏矢量指向哪里”，EBSD 正在提供更加丰富的位错信息。
本期直播，您将了解到：
- EBSD如何用于位错分析
- GND与加权柏氏矢量提供的信息有何不同
- 如何进一步提升角度精度，探测单根位错
- 如何通过柏氏矢量强度与方向获得更多位错信息
一起探索 EBSD 位错分析的更多可能。锁定直播，11月10日见！
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