28 Sep

原子力显微镜案例分享 | 牛津仪器AFM助力检测刻蚀工艺中的倒角问题

研究人员发现了一种非破坏性的方法来测量经刻蚀的氮化硅 (SiNx) 薄膜的倒角 (Undercut) 现象。这种方法借助了原子力显微镜 (AFM) 的纳米力学测量技术,且其测量值与理论值误差仅为5%。

微电子器件MEMS的制备通常都会用到刻蚀工艺,而在刻蚀工艺中,倒角 (Undercut) 现象是很难避免的,也就是说得到的结构通常会比预计多刻蚀掉一些材料。所以为了保证产品的参数及性能合规,找到一种可以准确地检测倒角现象的方法是至关重要的。然而,目前能做到同时具备非破坏性以及高空间分辨率的检测方法是十分罕见的。


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